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Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran
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Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran
«
am:
09.11.2026, 17:18:32 »
Halbleiter aus Gallium(III)-oxid und Germanium(IV)-oxid versprechen Vorteile gegenüber solchen aus Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC).
Quelle:
http://www.heise.de
Stichworte: Forschung, GaN, Galliumnitrid, Halbleiterindustrie, IT, Leistungshalbleiter, Siliziumkarbid, Transistoren, Wirtschaft
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