Newsparadies: Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran

News => Welt-Ticker => Thema gestartet von: heise am 09.11.2026, 17:18:32



Titel: Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran
Beitrag von: heise am 09.11.2026, 17:18:32
(http://newsparadies.de/images/board/x31.gif) Halbleiter aus Gallium(III)-oxid und Germanium(IV)-oxid versprechen Vorteile gegenüber solchen aus Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC).
Quelle: https://www.heise.de/news/Neue-Gallium-und-Germanium-Materialien-fuer-Leistungshalbleiter-reifen-heran-11517812.html?wt_mc=rss.red.ho.ho.rdf.beitrag.beitrag
(http://www.netzausfall.de/wp-content/heise.jpg)

Stichworte: Forschung, GaN, Galliumnitrid, Halbleiterindustrie, IT, Leistungshalbleiter, Siliziumkarbid, Transistoren, Wirtschaft


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