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Home > Welt-Ticker > Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran
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News: Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran  (Gelesen 359 mal) Drucken
 
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Neue Gallium- und Germanium-Materialien für Leistungshalbleiter reifen heran
« am: 09.11.2026, 17:18:32 »
   

Halbleiter aus Gallium(III)-oxid und Germanium(IV)-oxid versprechen Vorteile gegenüber solchen aus Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC).



Quelle: http://www.heise.de
    

Stichworte: Forschung, GaN, Galliumnitrid, Halbleiterindustrie, IT, Leistungshalbleiter, Siliziumkarbid, Transistoren, Wirtschaft
Stichworte: Forschung  GaN  Galliumnitrid  Halbleiterindustrie  IT  Leistungshalbleiter  Siliziumkarbid  Transistoren  Wirtschaft



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